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產(chǎn)品展示/ Product display

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日本full-tech薄膜沉積超小型實(shí)驗(yàn)用CVD裝置

日本full-tech薄膜沉積超小型實(shí)驗(yàn)用CVD裝置
CVD(化學(xué)氣相沉積)是一種薄膜制備技術(shù),通過(guò)將氣態(tài)前驅(qū)物引入加熱的基板表面,使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積形成固態(tài)薄膜。

  • 產(chǎn)品型號(hào):FT-1200CVD
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2026-02-09
  • 訪  問(wèn)  量:42
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詳細(xì)介紹

日本full-tech薄膜沉積超小型實(shí)驗(yàn)用CVD裝置 

日本full-tech薄膜沉積超小型實(shí)驗(yàn)用CVD裝置 

超小型實(shí)驗(yàn)用CVD裝置 FT-1200CVD
(Ultra-Compact Experimental CVD System)
CVD = Chemical Vapor Deposition(化學(xué)氣相沉積)

什么是CVD裝置?

CVD(化學(xué)氣相沉積)是一種薄膜制備技術(shù),通過(guò)將氣態(tài)前驅(qū)物引入加熱的基板表面,使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積形成固態(tài)薄膜。

技術(shù)規(guī)格

參數(shù)規(guī)格
型號(hào)FT-1200CVD
溫度1,200℃
常用溫度范圍室溫~1,100℃
使用爐芯管外徑34mm × 800mm 高純度石英管
均熱區(qū)長(zhǎng)度150mm
溫度設(shè)定精度±1℃以?xún)?nèi)
加熱元件Kanthal AF(鐵鉻鋁合金,耐高溫抗氧化)
加熱驅(qū)動(dòng)數(shù)字晶閘管(相位角控制)

具體用途

1. 薄膜制備(核心功能)

薄膜類(lèi)型應(yīng)用示例
碳納米管(CNT)復(fù)合材料增強(qiáng)、導(dǎo)電材料
石墨烯電子器件、傳感器
氮化硅(Si?N?)半導(dǎo)體鈍化層、耐磨涂層
氧化硅(SiO?)絕緣層、光學(xué)涂層
金屬薄膜(鎢、鈦等)集成電路互連、阻擋層

2. 材料改性

  • 表面涂層:提高硬度、耐腐蝕性
  • 摻雜處理:改變半導(dǎo)體電學(xué)性能

3. 納米材料合成

  • 納米線、納米顆粒的氣相合成

產(chǎn)品特點(diǎn)

特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)
超小型設(shè)計(jì)適合實(shí)驗(yàn)室桌面使用,節(jié)省空間
高純度石英管防止污染,保證薄膜純度
150mm均熱區(qū)確保基板溫度均勻,薄膜質(zhì)量一致
±1℃精度精確控制反應(yīng)溫度,提高工藝重復(fù)性
模塊化選配件根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求靈活配置

典型用戶(hù)

用戶(hù)類(lèi)型應(yīng)用場(chǎng)景
大學(xué)研究室新材料開(kāi)發(fā)、納米技術(shù)研究
半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)工藝驗(yàn)證、新器件開(kāi)發(fā)
材料科學(xué)研究所薄膜材料性能研究
初創(chuàng)企業(yè)小批量樣品制備、技術(shù)驗(yàn)證



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